Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A MICROCHIP TECHNOLOGY

Номер продукта: APT1001RBVRG
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49 €

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39 €

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A MICROCHIP TECHNOLOGY

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-1905696
Марка
NomNr
APT1001RBVRG

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
APT1001RBVRG
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT1001RBVRG
Product ID
U-1905696
Case
TO247-3
Drain current
11A
Drain-source voltage
1kV
Gate charge
225nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY
Mounting
THT
On-state resistance
Polarisation
unipolar
Power dissipation
280W
Pulsed drain current
44A
Technology
POWER MOS 5®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].