Сроки доставки
2024-10-03 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
541 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.38A; 1W; DIP4
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-218142
NomNr
IRFD210PBF
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.38A; 1W; DIP4
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
IRFD210PBF
Supplier's product code
IRFD210PBF
Product ID
U-218142
Case
DIP4
Drain current
0.38A
Drain-source voltage
200V
Gate charge
8.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
1.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1W
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].