Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W VISHAY
Номер продукта: SIHB12N60ET1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Параметры товара поставщика
Product code
SIHB12N60ET1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHB12N60ET1-GE3
Product ID
U-3045808
Case
D2PAK
Drain current
7.8A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
58nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.38Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
147W
Pulsed drain current
27A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
