Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 48A; 277.8W VISHAY
Номер продукта: SIHG17N60D-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 48A; 277.8W
Параметры товара поставщика
Product code
SIHG17N60D-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHG17N60D-GE3
Product ID
U-3045963
Case
TO247AC
Drain current
10.7A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
90nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.34Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
277.8W
Pulsed drain current
48A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
