Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 48A; 277.8W VISHAY

Номер продукта: SIHG17N60D-GE3
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49 €

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 48A; 277.8W VISHAY

Спецификации

Артикул
U-3045963
Марка
NomNr
SIHG17N60D-GE3

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 48A; 277.8W

Параметры товара поставщика

Product code
SIHG17N60D-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHG17N60D-GE3
Product ID
U-3045963
Case
TO247AC
Drain current
10.7A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
90nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.34Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
277.8W
Pulsed drain current
48A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].