Вранзистор:однополярный,N-MOSFET;800Π’;2,5А;TO220FP

НомСр ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°: STF3NK80Z
ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠ°
Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ²
Новинка!
Π¦Π΅Π½Π° с LEMONA+ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΎΠΉ:
ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ скидку ΠΎΡ‚
€0.06
(-3%)
€1.84

Π¦Π΅Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹

ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠ‘Ρ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ с НДБ (ΡˆΡ‚.)
1-3
€1.90
4+
€1.71
B2B ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠΈ

Мин. кол-во: 1

Π•Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π° измСрСния: ΡˆΡ‚.

Π˜Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ:

€1.90

lemona shopΠ‘Π°ΠΌΠΎΠ²Ρ‹Π²ΠΎΠ· Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ LEMONA electronics Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 2 часов. (Ссли Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΠΈ Π·Π°ΠΊΠ°Π· ΠΎΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠ»Π΅Π½ Π΄ΠΎ 15:00)

Доступно5 ΡˆΡ‚.
Π’ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡŽΡΡΠΊΠΈΠΉ Π¨ΠΈΡ€ΠΌΡƒΠ½Π°ΠΉ ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½
Доступно4 ΡˆΡ‚.
Π’ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡŽΡ НауямиСстис ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½
Доступно4 ΡˆΡ‚.
ΠšΠ°ΡƒΠ½Π°ΡΡΠΊΠΈΠΉ ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½
Доступно4 ΡˆΡ‚.
КлайпСда магазин
Доступно4 ΡˆΡ‚.
Шяуляйский ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½
Доступно>40 ΡˆΡ‚.
Π¦Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ склад

home deliveryДоставка Π½Π° Π΄ΠΎΠΌ 1-2 Ρ€. Π΄.

Shipping parcelΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚Π΅ 1-2 Ρ€. Π΄.


Π‘Ρ€ΠΎΠΊΠΈ доставки

lemona shop

ΠŸΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°Ρ ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Ρ‹ LEMONA electronics

ΠŸΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°Ρ ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Ρ‹ LEMONA electronics БСсплатно

Π—Π°ΠΊΠ°Π·Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅ Π΄Π½ΠΈ с 8:00 Π΄ΠΎ 17:00.
Когда ваш Π·Π°ΠΊΠ°Π· Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ² ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ, ΠΌΡ‹ сообщим Π²Π°ΠΌ ΠΎΠ± этом ΠΏΠΎ SMS ΠΈ элСктронной ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π΅.

ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ Π² ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅

Доступно5 ΡˆΡ‚.
Π’ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡŽΡΡΠΊΠΈΠΉ Π¨ΠΈΡ€ΠΌΡƒΠ½Π°ΠΉ ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½
Доступно4 ΡˆΡ‚.
Π’ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡŽΡ НауямиСстис ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½
Доступно4 ΡˆΡ‚.
ΠšΠ°ΡƒΠ½Π°ΡΡΠΊΠΈΠΉ ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½
Доступно4 ΡˆΡ‚.
КлайпСда магазин
Доступно4 ΡˆΡ‚.
Шяуляйский ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½
Доступно>40 ΡˆΡ‚.
Π¦Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ склад
home delivery

Доставка Π½Π° Π΄ΠΎΠΌ

Доставка Π½Π° Π΄ΠΎΠΌ

ПослС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Π° ΠΊΡƒΡ€ΡŒΠ΅Ρ€Ρƒ ΠΌΡ‹ сообщим Π²Π°ΠΌ ΠΎΠ± этом ΠΏΠΎ элСктронной ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π΅.

Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ 50,00 β‚¬

(Π—Π°ΠΊΠ°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎ 1000 ΠΊΠ³)

БСсплатно

К 50,00 β‚¬

(Π—Π°ΠΊΠ°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎ 3 ΠΊΠ³)

3,49 β‚¬

К 50,00 β‚¬

(Π—Π°ΠΊΠ°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎ 1000 ΠΊΠ³)

4,99 β‚¬

Shipping parcel

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚Π΅

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚Π΅

ПослС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Π° ΠΊΡƒΡ€ΡŒΠ΅Ρ€Ρƒ ΠΌΡ‹ сообщим Π²Π°ΠΌ ΠΎΠ± этом ΠΏΠΎ элСктронной ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π΅.

2,39 β‚¬

ОписаниС Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Π°

MOS-N-Ch 800V 2.5A TO220FP

ОписаниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ автоматичСского ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄Ρ‡ΠΈΠΊΠ°. Если Π²Ρ‹ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Π»ΠΈΠ±ΠΎ нСсоотвСтствия, поТалуйста, сообщитС Π½Π°ΠΌ ΠΏΠΎ элСктронной ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π΅ [email protected].


Π‘ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ

Артикул
142371
ВСс
0.0002 kg.
ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠ°
TΠΎΠΊ , A
2.5
Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π°
MOS-N-Ch
NomNr
STF3NK80Z
ОписаниС искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π°ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π°ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π°ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π°ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π°ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π°ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π°ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π°ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π°ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π°

Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ описаниС Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Π°, созданноС искусствСнным ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ

Вранзистор N-MOSFET STMICROELECTRONICS: ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ для Π²Π°ΡˆΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ²

ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΠ΅ΠΌ высококачСствСнный однополярный N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ MOSFET транзистор ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ производитСля STMICROELECTRONICS. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ идСально ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ спСктра ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… надСТности ΠΈ высокой ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики:

  • Π’ΠΈΠΏ: N-MOSFET (ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-оксид-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор)
  • НапряТСниС сток-исток (VDSS): 800 Π’
  • Π’ΠΎΠΊ стока (ID): 2,5 А
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ: TO220FP

Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅:

Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ MOSFET транзистор, благодаря своим ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ, ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для использования Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных устройствах, Π³Π΄Π΅ трСбуСтся ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ высоком напряТСнии. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ примСнСния Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚, Π½ΠΎ Π½Π΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ:

  • Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ
  • Устройства управлСния двигатСлями
  • Π˜Π½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹
  • Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ питания

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° транзистора STMICROELECTRONICS:

Компания STMICROELECTRONICS извСстна своим высоким качСством ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ. Выбирая этот MOSFET, Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚Π΅:

  • Π’Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½Π°Ρ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ тСхнология ΠΈ строгий ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ качСства Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ срок слуТбы.
  • ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ характСристики: ВысокоС напряТСниС ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… условиях.
  • Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: ΠŸΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ спСктра ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ.
  • Π‘Ρ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ корпус TO220FP: ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ удобство ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° ΠΈ ΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ с Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎΠΌ ΠΏΠ»Π°Ρ‚.

ВСхничСскиС характСристики (ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΈΠΉ ΠΎΠ±Π·ΠΎΡ€):

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅
Π’ΠΈΠΏ транзистораN-MOSFET
НапряТСниС (VDSS)800 Π’
Вок (ID)2,5 А
ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡTO220FP

Π—Π°ΠΊΠ°ΠΆΠΈΡ‚Π΅ MOSFET транзистор STMICROELECTRONICS ΡƒΠΆΠ΅ сСгодня ΠΈ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ Π² Π΅Π³ΠΎ прСвосходном качСствС!


Π”Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ описаниС создано с использованиСм искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π° (ИИ) ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°. РаспространСнныС ошибки искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π° ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ:

  • НСточныС характСристики ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°: Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ тСхничСскиС характСристики, Ρ†Π²Π΅Ρ‚Π°, Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ.
  • НСвСрная информация ΠΎ совмСстимости: ИИ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅Π²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎ совмСстимости ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ² с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ устройствами ΠΈΠ»ΠΈ систСмами.
  • Π§Ρ€Π΅Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ оптимистичныС Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ: Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прСдоставлСны характСристики, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ Π½Π° самом Π΄Π΅Π»Π΅ Π½Π΅ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚.
  • НСсоотвСтствиС названия ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ: ИИ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΊΠ°Π·ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ»ΠΈ модСль ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°.

Если Π²Ρ‹ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ нСсоотвСтствиС ΠΈΠ»ΠΈ Ρƒ вас Π΅ΡΡ‚ΡŒ вопросы ΠΏΠΎ описанию, поТалуйста, ΡΠ²ΡΠΆΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ с Π½Π°ΠΌΠΈ Π΄ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΡƒΠΏΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π° ΠΏΠΎ элСктронной ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π΅: [email protected]

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Ρ‹ Π² этой ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΠΈ

ОписаниС Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Π° ΠΎΡ‚ поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Π° поставщика

Case
TO220FP
Drain current
1.57A
Drain-source voltage
800V
Gate-source voltage
Β±30V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
4.5Ξ©
Polarisation
unipolar
Power dissipation
25W
Technology
SuperMeshβ„’
Type of transistor
N-MOSFET
Version
ESD
Π˜Π½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡ, прСдоставлСнная поставщиком, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ самого ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°. Если Π²Ρ‹ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ нСточности, сообщитС Π½Π°ΠΌ ΠΎΠ± этом, написав Π½Π° адрСс [email protected].