Transistor: IGBT; 1.2kV; 17A; 298W; D2PAK ONSEMI
Prekės kodas: HGT1S10N120BNST
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-08-16 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 519 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: IGBT; 1.2kV; 17A; 298W; D2PAK ONSEMI
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: IGBT; 1.2kV; 17A; 298W; D2PAK
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
HGT1S10N120BNST
Case
D2PAK
Collector current
17A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Gate charge
150nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
Power dissipation
298W
Pulsed collector current
80A
Type of transistor
IGBT
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
HGT1S10N120BNST
Product ID
U-204638
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
