Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Prekės kodas: 2N7002BKW.115
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-10-02 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 11419 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Naudinga informacija
Specifikacijos
SKU
U-80227
Prekės kodas
2N7002BKW.115
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
2N7002BKW.115
Supplier's product code
2N7002BKW.115
Product ID
U-80227
Case
SC70
Drain current
0.215A
Drain-source voltage
60V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
0.6nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
2Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.33W
Pulsed drain current
1.2A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
