Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W YANGJIE TECHNOLOGY
Prekės kodas: YJD80G06A-YAN
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W YANGJIE TECHNOLOGY
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
YJD80G06A-YAN
Supplier's product code
YJD80G06A-YAN
Product ID
U-222283
#Promotion
aac_202202
Case
TO252
Drain current
56A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
31nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
11mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
42.5W
Pulsed drain current
240A
Technology
SPLIT GATE TRENCH
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
