LEMONA

Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W YANGJIE TECHNOLOGY

Prekės kodas: YJQ4666B-YAN
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-99
0.12
100-499
0.09
500-2999
0.08
3000+
0.07
didmeninis

Min. kiekis: 20

Kartotinis: 10

Iš viso:

2.40
2024-09-18 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-09-18 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra3220 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W YANGJIE TECHNOLOGY

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-222313
Prekinis ženklas
Prekės kodas
YJQ4666B-YAN

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
YJQ4666B-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJQ4666B-YAN
Product ID
U-222313
Case
DFN2020-6
Drain current
-5.6A
Drain-source voltage
-16V
Gate charge
7.2nC
Gate-source voltage
±10V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
60mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.2W
Pulsed drain current
-28A
Technology
TRENCH POWER LV
Type of transistor
P-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].