Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W; TO247 ROHM SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: SCT3120ALGC11
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W; TO247
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SCT3120ALGC11
Case
TO247
Drain current
21A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
38nC
Gate-source voltage
-4...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
156mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
103W
Pulsed drain current
52A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
SCT3120ALGC11
Product ID
U-2966387
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
