LEMONA

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W BASiC SEMICONDUCTOR

Prekės kodas: B1M080120HC
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-4
32.6732.67
5-29
29.40
30-149
25.97
150-599
21.89
600+
20.91
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

32.67
2024-11-28 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-11-28 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra40 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W BASiC SEMICONDUCTOR

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-2709775
Prekinis ženklas
Prekės kodas
B1M080120HC

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
B1M080120HC
Case
TO247-3
Drain current
27A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
149nC
Gate-source voltage
-5...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
80mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
241W
Pulsed drain current
80A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
BASiC SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
B1M080120HC
Product ID
U-2709775
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].