Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W LUGUANG ELECTRONIC
Prekės kodas: LGE3M40065Q
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W LUGUANG ELECTRONIC
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
LGE3M40065Q
Case
TO247-4
Drain current
58A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
110.8nC
Gate-source voltage
-5...20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
LUGUANG ELECTRONIC
Mounting
THT
On-state resistance
55mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
348W
Pulsed drain current
180A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
LUGUANG ELECTRONIC
Supplier's product code
LGE3M40065Q
Product ID
U-3869672
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].