LEMONA

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.14A; Idm: -0.5A; 0.13W; SC75A VISHAY

Prekės kodas: SI1032R-T1-GE3
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-4
0.73
5-49
0.52
50-99
0.37
100-249
0.33
250+
0.32
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

0.73
2024-10-03 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-10-03 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra2968 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.14A; Idm: -0.5A; 0.13W; SC75A VISHAY

Specifikacijos

SKU
U-2960830
Prekinis ženklas
Prekės kodas
SI1032R-T1-GE3

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.14A; Idm: -0.5A; 0.13W; SC75A

Tiekėjo specifikacijos

Product code
SI1032R-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI1032R-T1-GE3
Product ID
U-2960830
Case
SC75A
Drain current
0.14A
Drain-source voltage
20V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
0.75nC
Gate-source voltage
±6V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.13W
Pulsed drain current
-0.5A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].