Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 410mW
Prekės kodas: DMN67D8LDW-7
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 410mW
Specifikacijos
SKU
U-2876242
Prekės kodas
DMN67D8LDW-7
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 410mW
Tiekėjo specifikacijos
Product code
DMN67D8LDW-7
Supplier's product code
DMN67D8LDW-7
Product ID
U-2876242
Case
SOT363
Drain current
0.18A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
821pC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
7.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.41W
Pulsed drain current
0.8A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
