Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: GD10PJY120F1S
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Specifikacijos
SKU
U-2964915
Prekės kodas
GD10PJY120F1S
Tiekėjo prekės aprašymas
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Tiekėjo specifikacijos
Product code
GD10PJY120F1S
Product ID
U-2964915
Case
F1.1
Collector current
10A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
20A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Advanced Trench FS IGBT
Type of module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Supplier's product code
GD10PJY120F1S
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
