IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A
Номер продукта: ISL89163FBEBZ
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-219449
NomNr
ISL89163FBEBZ
Описание товара от поставщика
IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
ISL89163FBEBZ
Supplier's product code
ISL89163FBEBZ
Product ID
U-219449
Case
SO8-EP
Impulse rise time
40ns
Kind of integrated circuit
high-/low-side
Kind of output
non-inverting
Kind of package
tube
Manufacturer
RENESAS
Mounting
SMD
Number of channels
2
Operating temperature
-40...125°C
Output current
-6...6A
Protection
undervoltage UVP
Pulse fall time
40ns
Supply voltage
4.5...16V DC
Type of integrated circuit
driver
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
