IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8 ONSEMI
Номер продукта: NCP81080DR2G
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-11-28 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 770 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8 ONSEMI
Спецификации
Описание товара от поставщика
IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8
Параметры товара поставщика
Product code
NCP81080DR2G
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
NCP81080DR2G
Product ID
U-2593998
Case
SO8
Impulse rise time
19ns
Kind of integrated circuit
high-side
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
Operating temperature
-40...140°C
Output current
-800...500mA
Pulse fall time
17ns
Supply voltage
5.5...20V DC
Type of integrated circuit
driver
Topology
MOSFET half-bridge
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.