IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1 STMicroelectronics
Номер продукта: STGAP2SICSACTR
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1 STMicroelectronics
Спецификации
Описание товара от поставщика
IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1
Параметры товара поставщика
Product code
STGAP2SICSACTR
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
STGAP2SICSACTR
Product ID
U-3822501
Case
SO8-W
Impulse rise time
30ns
Integrated circuit features
galvanically isolated
Kind of integrated circuit
SiC MOSFET gate driver
Kind of package
tape
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
SMD
Number of channels
1
Operating temperature
-40...125°C
Output current
-4...4A
Output voltage
1.2kV
Pulse fall time
30ns
Supply voltage
3.1...5.25V
Type of integrated circuit
driver
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
