Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; P3 YANGJIE TECHNOLOGY
Номер продукта: MG25P12P3-YAN
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; P3 YANGJIE TECHNOLOGY
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; P3
Полезная информация
Параметры товара поставщика
NomNr
MG25P12P3-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
MG25P12P3-YAN
Product ID
U-2731860
Application
motors
Case
P3
Collector current
25A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
50A
Semiconductor structure
diode/transistor
Type of module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
