Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV IXYS
Номер продукта: IXA20PG1200DHGLB
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-11-28 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 34 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
IXA20PG1200DHGLB
Case
SMPD-B
Collector current
23A
Electrical mounting
SMT
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Power dissipation
130W
Pulsed collector current
45A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
ISOPLUS™
Type of module
IGBT
Topology
IGBT half-bridge
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXA20PG1200DHGLB
Product ID
U-220230
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
