Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A STARPOWER SEMICONDUCTOR
Номер продукта: GD200HFU120C2S
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A STARPOWER SEMICONDUCTOR
Спецификации
Артикул
U-2964925
NomNr
GD200HFU120C2S
Описание товара от поставщика
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Параметры товара поставщика
Product code
GD200HFU120C2S
Supplier's product code
GD200HFU120C2S
Product ID
U-2964925
Case
C2 62mm
Collector current
200A
Electrical mounting
screw
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
400A
Semiconductor structure
transistor/transistor
Technology
NPT Ultra Fast IGBT
Type of module
IGBT
Topology
IGBT half-bridge
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
