Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.1A; Idm: 20A; 1.6W ONSEMI
Номер продукта: FDC855N
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.1A; Idm: 20A; 1.6W ONSEMI
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.1A; Idm: 20A; 1.6W
Параметры товара поставщика
Product code
FDC855N
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDC855N
Product ID
U-2349834
Case
SuperSOT-6
Drain current
6.1A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
13nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
39.3mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.6W
Pulsed drain current
20A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
