Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8 ONSEMI
Номер продукта: FDS3890
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8 ONSEMI
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8
Параметры товара поставщика
Case
SO8
Drain current
4.7A
Drain-source voltage
80V
Gate charge
35nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
82mΩ
Polarisation
unipolar
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDS3890
Product ID
U-2412932
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
20A
Technology
PowerTrench®
Type of transistor
N-MOSFET x2
Product code
FDS3890
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
