Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK ONSEMI
Номер продукта: FQB8N60CTM
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK ONSEMI
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Параметры товара поставщика
Product code
FQB8N60CTM
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FQB8N60CTM
Product ID
U-2349524
Case
D2PAK
Drain current
4.6A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
36nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
1.2Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
147W
Pulsed drain current
30A
Technology
QFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
Данный товар отсутствует.