Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 2.9A YANGJIE TECHNOLOGY
Номер продукта: YJS05N15B-YAN
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 2.9A YANGJIE TECHNOLOGY
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 2.9A
Параметры товара поставщика
Product code
YJS05N15B-YAN
Supplier's product code
YJS05N15B-YAN
Product ID
U-222315
#Promotion
aac_202202
Case
SOP8
Drain current
2.9A
Drain-source voltage
150V
Gate charge
11.6nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
75mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.1W
Pulsed drain current
35A
Technology
SPLIT GATE TRENCH
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
