Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A YANGJIE TECHNOLOGY
Номер продукта: YJS12N10A-YAN
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A YANGJIE TECHNOLOGY
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Параметры товара поставщика
Product code
YJS12N10A-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJS12N10A-YAN
Product ID
U-222317
Case
SOP8
Drain current
7.6A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
80nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
17mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.3W
Pulsed drain current
120A
Technology
SPLIT GATE TRENCH
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
