Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK ONSEMI

Номер продукта: FQB8P10TM
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49 €

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39 €

Описание товара

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK ONSEMI

Спецификации

Артикул
U-2349526
NomNr
FQB8P10TM

Описание товара от поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK

Параметры товара поставщика

Product code
FQB8P10TM
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FQB8P10TM
Product ID
U-2349526
Case
D2PAK
Drain current
-5.7A
Drain-source voltage
-100V
Gate charge
15nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
530mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
65W
Pulsed drain current
-32A
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].