Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W YANGJIE TECHNOLOGY

Номер продукта: YJQ4666B-YAN
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-99
0.130.13
100-499
0.10
500-2999
0.09
3000+
0.08
B2B продажи

Мин. кол-во: 20

Кратность заказа: 10

Итого:

2.60
2024-12-31 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-12-31 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно3220 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49 €

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39 €

Описание товара

Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W YANGJIE TECHNOLOGY

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-222313
NomNr
YJQ4666B-YAN

Описание товара от поставщика

Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
YJQ4666B-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJQ4666B-YAN
Product ID
U-222313
Case
DFN2020-6
Drain current
-5.6A
Drain-source voltage
-16V
Gate charge
7.2nC
Gate-source voltage
±10V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
60mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.2W
Pulsed drain current
-28A
Technology
TRENCH POWER LV
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].