Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK ONSEMI
Номер продукта: FQI4N80TU
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK ONSEMI
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Параметры товара поставщика
Product code
FQI4N80TU
Supplier's product code
FQI4N80TU
Product ID
U-2349552
#Promotion
aac_202202
Case
I2PAK
Drain current
2.47A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
25nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
3.6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
130W
Pulsed drain current
15.6A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
