Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB YANGJIE TECHNOLOGY
Номер продукта: YJ2N65CZ-YAN
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB YANGJIE TECHNOLOGY
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Параметры товара поставщика
Product code
YJ2N65CZ-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJ2N65CZ-YAN
Product ID
U-1928801
#Promotion
aac_202202
Case
TO220AB
Drain current
2A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
14nC
Gate-source voltage
±20V
Heatsink thickness
max. 1.33mm
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
THT
On-state resistance
4.7Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
54W
Pulsed drain current
8A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
