Diode: switching; THT; 100V; 300mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; Ir: 50uA ONSEMI

Номер продукта: 1N4448TR-ONS
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
0.15
3-9
0.12
10-24
0.10
25-99
0.07
100+
0.04
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

0.15
2024-07-17 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-07-17 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно9955 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 30,00 €

(Заказы до 3 кг)

2,99 €

К 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,59 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

1,99 €

Описание товара

Diode: switching; THT; 100V; 300mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; Ir: 50uA ONSEMI

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-2185319
NomNr
1N4448TR-ONS

Описание товара от поставщика

Diode: switching; THT; 100V; 300mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; Ir: 50uA

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
1N4448TR-ONS
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
1N4448TR-ONS
Product ID
U-2185319
Capacitance
2pF
Case
DO35
Leakage current
50µA
Load current
0.3A
Manufacturer
ONSEMI
Max. forward impulse current
4A
Max. forward voltage
1V
Max. off-state voltage
100V
Mounting
THT
Power dissipation
0.5W
Reverse recovery time
4ns
Semiconductor structure
single diode
Type of diode
switching
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].