Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W STMicroelectronics
Номер продукта: SGT120R65AL
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W STMicroelectronics
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SGT120R65AL
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
SGT120R65AL
Product ID
U-3885488
Case
PowerFLAT 5x6
Drain current
9A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
3nC
Gate-source voltage
-10...7V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Kind of transistor
HEMT
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
SMD
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
192W
Pulsed drain current
36A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
