Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMNH6008SCT
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-08-27 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 87 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Параметры товара поставщика
Product code
DMNH6008SCT
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMNH6008SCT
Product ID
U-2467545
Case
TO220AB
Drain current
90A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
21nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
THT
On-state resistance
6mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
100W
Pulsed drain current
200A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
