Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 16W; ITO220AB DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN80H2D0SCTI
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 16W; ITO220AB DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 16W; ITO220AB
Параметры товара поставщика
Product code
DMN80H2D0SCTI
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN80H2D0SCTI
Product ID
U-2467542
Case
ITO220AB
Drain current
4A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
35.4nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
THT
On-state resistance
1.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
16W
Pulsed drain current
28A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
