Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN10H099SFG-7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W
Параметры товара поставщика
Case
PowerDI3333-8
Drain current
4.5A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
25.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
99mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.18W
Pulsed drain current
20A
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
DMN10H099SFG-7
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN10H099SFG-7
Product ID
U-2876057
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
