Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 550mA; Idm: 3A; 470mW DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN2400UFB-7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 550mA; Idm: 3A; 470mW DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 550mA; Idm: 3A; 470mW
Параметры товара поставщика
Product code
DMN2400UFB-7
Product ID
U-2876115
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN2400UFB-7
Case
X1-DFN1006-3
Drain current
0.55A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
0.5nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
0.9Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.47W
Pulsed drain current
3A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
