Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 36A; 2.8W; SO8 DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN3024LSS-13
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 36A; 2.8W; SO8 DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.8A; Idm: 36A; 2.8W; SO8
Параметры товара поставщика
Product code
DMN3024LSS-13
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN3024LSS-13
Product ID
U-2876147
Case
SO8
Drain current
6.8A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
12.9nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
36mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.8W
Pulsed drain current
36A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
