Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.75A; Idm: 40A; 2.5W; SO8 DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN3030LSS-13
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.75A; Idm: 40A; 2.5W; SO8 DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.75A; Idm: 40A; 2.5W; SO8
Параметры товара поставщика
Product code
DMN3030LSS-13
Case
SO8
Drain current
6.75A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
25nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
30mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.5W
Pulsed drain current
40A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN3030LSS-13
Product ID
U-2876159
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
