Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3 DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMT6009LCT
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3 DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Параметры товара поставщика
Product code
DMT6009LCT
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMT6009LCT
Product ID
U-2876358
Case
TO220-3
Drain current
29.8A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
33.5nC
Gate-source voltage
±16V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
THT
On-state resistance
14.5mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.2W
Pulsed drain current
80A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
