Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 250V; 132A; Idm: 500A IXYS
Номер продукта: MMIX1F180N25T
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 250V; 132A; Idm: 500A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
MMIX1F180N25T
Brand
IXYS
Supplier's product code
MMIX1F180N25T
Product ID
U-261731
Case
SMPD
Drain current
132A
Drain-source voltage
250V
Gate charge
364nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
On-state resistance
13mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
570W
Pulsed drain current
500A
Reverse recovery time
200ns
Technology
HiPerFET™
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
