Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W IXYS

Name: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W IXYS
Brand: IXYS
SKU: U-261744
Price: 92.61 EUR
Availability: InStock

Номер продукта: MMIX1T550N055T2

Марка

IXYS

Больше похожих продуктов

Ищите "Transistor N-MOSFET"

Ценовые границы

Количество	Стоимость с НДС (шт.)
1-2	€92.61
3-9	€81.90
10-19	€73.64
20+	€68.57
B2B продажи

2024-07-11 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

atsiskaitykite su

per 3 mėn. po 30.87 € be pabrangimo

per 24 mėn. po 5.84 €

Pavyzdžiui, skolinantis 100.00 €, kai sutartis sudaroma 24 mėn. terminui, metinė palūkanų norma – 26,9%, sutarties sudarymo mokestis - 0%, mėnesio sutarties mokestis – 0,41%, BVKKMN – 40,78%, bendra mokėtina suma – 140.16 €, mėnesio įmoka – 5.84 €.

Сроки доставки

2024-07-11 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

20 шт.

Склад поставщика

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 30,00 €

(Заказы до 3 кг)

2,99 €

К 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,59 €

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

1,99 €

Описание товара

Марка

IXYS

Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W IXYS

Полезная информация

Instrukcija

Спецификации

Артикул

U-261744

Марка

IXYS

NomNr

MMIX1T550N055T2

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W

Полезная информация

Instrukcija

Параметры товара поставщика

Product code

MMIX1T550N055T2

Brand

IXYS

Supplier's product code

MMIX1T550N055T2

Product ID

U-261744

Case

SMPD

Drain current

550A

Drain-source voltage

55V

Gate charge

595nC

Gate-source voltage

±20V

Kind of channel

enhanced

Manufacturer

IXYS

Mounting

SMD

On-state resistance

1.3mΩ

Polarisation

unipolar

Power dissipation

830W

Pulsed drain current

2kA

Reverse recovery time

100ns

Technology

GigaMOS™

Type of transistor

N-MOSFET

Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].