Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 23A; Idm: 120A STMicroelectronics
Номер продукта: STWA32N65DM6AG
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 23A; Idm: 120A STMicroelectronics
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 23A; Idm: 120A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
STWA32N65DM6AG
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
STWA32N65DM6AG
Product ID
U-2595605
Application
automotive industry
Case
TO247
Drain current
23A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
52.6nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
97mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
320W
Pulsed drain current
120A
Technology
MDmesh™ DM6
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
