Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 60A; Idm: 339A; 238W NEXPERIA

Номер продукта: PSMN012-100YLX
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 30,00 €

(Заказы до 3 кг)

2,99 €

К 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,59 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

1,99 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 60A; Idm: 339A; 238W NEXPERIA

Спецификации

Артикул
U-3045662
Марка
NomNr
PSMN012-100YLX

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 60A; Idm: 339A; 238W

Параметры товара поставщика

Product code
PSMN012-100YLX
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
PSMN012-100YLX
Product ID
U-3045662
Case
SOT669
Drain current
60A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
118nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
33.1mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
238W
Pulsed drain current
339A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].