Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA PanJit Semiconductor
Номер продукта: PJMD360N60EC-L2
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA PanJit Semiconductor
Спецификации
Артикул
U-3139351
NomNr
PJMD360N60EC-L2
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Параметры товара поставщика
Product code
PJMD360N60EC-L2
Case
TO252AA
Drain current
11A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
18.7nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
0.36Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
87.5W
Pulsed drain current
23A
Type of transistor
N-MOSFET
Supplier's product code
PJMD360N60EC-L2
Product ID
U-3139351
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
