Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263 PanJit Semiconductor
Номер продукта: PSMB055N08NS1-R2
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263 PanJit Semiconductor
Спецификации
Артикул
U-3139423
NomNr
PSMB055N08NS1-R2
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Параметры товара поставщика
Product code
PSMB055N08NS1-R2
Supplier's product code
PSMB055N08NS1-R2
Product ID
U-3139423
Case
TO263
Drain current
108A
Drain-source voltage
80V
Gate charge
65.8nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
7mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
113.6W
Pulsed drain current
360A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
