Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 40A; 15W; HSMT8 ROHM SEMICONDUCTOR
ΠΠΎΠΌΠ΅Ρ ΠΏΡΠΎΠ΄ΡΠΊΡΠ°: RQ3G100GNTB
Π‘ΡΠΎΠΊΠΈ Π΄ΠΎΡΡΠ°Π²ΠΊΠΈ
Π’ΠΎΠ²Π°Ρ Π·Π°ΠΊΠ°Π·ΡΠ²Π°Π΅ΡΡΡ ΡΠΎ ΡΠΊΠ»Π°Π΄Π° ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠ°. ΠΡΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊ Π½Π΅ ΡΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ Π΄ΠΎΡΡΠ°Π²ΠΈΡΡ Π΄Π°Π½Π½ΡΠΉ ΡΠΎΠ²Π°Ρ Π΄ΠΎ ΡΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π΄Π°ΡΡ, ΠΌΡ ΠΈΠ½ΡΠΎΡΠΌΠΈΡΡΠ΅ΠΌ ΠΠ°Ρ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡΡΠ΅.
 ΠΠ΅Π΄ΠΎΡΡΡΠΏΠ½ΠΎ | Π‘ΠΊΠ»Π°Π΄ ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠ° |
ΠΠΎΡΡΠ°Π²ΠΊΠ° Π½Π° Π΄ΠΎΠΌ
ΠΠΎΡΡΠ°Π²ΠΊΠ° Π½Π° Π΄ΠΎΠΌ
ΠΠΎΡΠ»Π΅ ΠΏΠ΅ΡΠ΅Π΄Π°ΡΠΈ ΡΠΎΠ²Π°ΡΠ° ΠΊΡΡΡΠ΅ΡΡ ΠΌΡ ΡΠΎΠΎΠ±ΡΠΈΠΌ Π²Π°ΠΌ ΠΎΠ± ΡΡΠΎΠΌ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡΡΠ΅.
ΠΠΎΠ»Π΅Π΅ 50,00 β¬ (ΠΠ°ΠΊΠ°Π·Ρ Π΄ΠΎ 1000 ΠΊΠ³) | ΠΠ΅ΡΠΏΠ»Π°ΡΠ½ΠΎ |
Π 50,00 β¬ (ΠΠ°ΠΊΠ°Π·Ρ Π΄ΠΎ 3 ΠΊΠ³) | 3,49 β¬ |
Π 50,00 β¬ (ΠΠ°ΠΊΠ°Π·Ρ Π΄ΠΎ 1000 ΠΊΠ³) | 4,99 β¬ |
ΠΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΏΠΎΡΡΠΎΠΌΠ°ΡΠ΅
ΠΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΏΠΎΡΡΠΎΠΌΠ°ΡΠ΅
ΠΠΎΡΠ»Π΅ ΠΏΠ΅ΡΠ΅Π΄Π°ΡΠΈ ΡΠΎΠ²Π°ΡΠ° ΠΊΡΡΡΠ΅ΡΡ ΠΌΡ ΡΠΎΠΎΠ±ΡΠΈΠΌ Π²Π°ΠΌ ΠΎΠ± ΡΡΠΎΠΌ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡΡΠ΅.
2,39 β¬
ΠΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΡΠΎΠ²Π°ΡΠ° ΠΎΡ ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠ°
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 40A; 15W; HSMT8
ΠΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΡ ΡΠΎΠ²Π°ΡΠ° ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠ°
Product code
RQ3G100GNTB
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
RQ3G100GNTB
Product ID
U-2966244
Case
HSMT8
Drain current
27A
Drain-source voltage
40V
Gate charge
8.4nC
Gate-source voltage
Β±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
18.3mΞ©
Polarisation
unipolar
Power dissipation
15W
Pulsed drain current
40A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
ΠΠ½ΡΠΎΡΠΌΠ°ΡΠΈΡ, ΠΏΡΠ΅Π΄ΠΎΡΡΠ°Π²Π»Π΅Π½Π½Π°Ρ ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ ΠΎΡΠ»ΠΈΡΠ°ΡΡΡΡ ΠΎΡ ΡΠ°ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡΠΎΠ΄ΡΠΊΡΠ°. ΠΡΠ»ΠΈ Π²Ρ Π·Π°ΠΌΠ΅ΡΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ΡΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ, ΡΠΎΠΎΠ±ΡΠΈΡΠ΅ Π½Π°ΠΌ ΠΎΠ± ΡΡΠΎΠΌ, Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π² Π½Π° Π°Π΄ΡΠ΅Ρ [email protected].
