Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 38A; 127W LUGUANG ELECTRONIC
Номер продукта: LGE3M160120E
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 38A; 127W LUGUANG ELECTRONIC
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 38A; 127W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
LGE3M160120E
Brand
LUGUANG ELECTRONIC
Supplier's product code
LGE3M160120E
Product ID
U-3846310
Case
D2PAK
Drain current
11A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
42nC
Gate-source voltage
-5...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
LUGUANG ELECTRONIC
Mounting
SMD
On-state resistance
0.285Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
127W
Pulsed drain current
38A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
