Сроки доставки
2024-09-10 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W ONSEMI
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
NTH4L080N120SC1
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
NTH4L080N120SC1
Product ID
U-1922462
Case
TO247-4
Drain current
21A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
56nC
Gate-source voltage
-15...25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
80mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
28W
Pulsed drain current
125A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].