Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W STMicroelectronics
Номер продукта: SCTW40N120G2VAG
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W STMicroelectronics
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SCTW40N120G2VAG
Supplier's product code
SCTW40N120G2VAG
Product ID
U-1919563
Application
automotive industry
Case
HIP247™
Drain current
25A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
63nC
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
0.195Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
290W
Pulsed drain current
100A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
STMicroelectronics
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
