Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 91A; 200W MICROCHIP (MICROSEMI)
Номер продукта: MSC080SMA120B
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-09-02 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 6 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 91A; 200W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
MSC080SMA120B
Product ID
U-1906008
Case
TO247-3
Drain current
26A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
64nC
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
0.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
200W
Pulsed drain current
91A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
MSC080SMA120B
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
